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加州大学发现二硫化钼晶体管抗高温特性
发布者:管理员 发布时间:2015-03-03 09:56:46 浏览次数:2439

需要抗高温电子器件的应用数量不断增长,涡轮机和井下传感等应用都需要能在200℃以上温度工作的电子器件。

加州大学河滨分校和伦斯勒理工学院的研究人员发现二硫化钼薄膜晶体管可用于此类极端温度应用场合。

加大河滨分校教授亚历山大·巴兰丁表示:‘研究表明二硫化钼薄膜晶体管至少在220℃还能保持功能。在经过两个月的老化之后,这种晶体管仍然能够稳定工作。‘

利用标准光刻技术,巴兰丁教授的研究团队在硅衬底上构建出二硫化钼晶体管。巴兰丁教授指出:一些晶体管只有几层,而其他晶体管则多至18层。薄膜越厚,晶体管的热稳定性越强,在高温下表现出更高的电子迁移率。

通过直流测量,研究人员研究了二硫化钼晶体管在26℃~223℃之间的电流电压特性或功能特性。他们发现晶体管的性能不同,但当温度上升时仍然保持功能。

巴兰丁表示:‘迁移率和门限电压随着温度而降低。单层二硫化钼的带隙为1.9电子伏特,比硅和砷化镓的要大,这对于高温应用是有益的。‘(来源:慧聪网)

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